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吉致電子---Si硅片拋光液,為半導(dǎo)體護(hù)航
半導(dǎo)體硅片拋光液是一種均勻分散膠粒的乳白色膠體,在半導(dǎo)體材料的CMP加工過程中起著至關(guān)重要的作用。其外觀通常為乳白色或微藍(lán)色透明溶液。半導(dǎo)體硅片Si拋光液主要有拋光、潤滑、冷卻等作用。在拋光方面,Si Slurry能夠有效地去除半導(dǎo)體硅晶圓表面的雜質(zhì)和凸起,使硅片表面更加光滑平整。例如,經(jīng)過拋光液處理后,晶片表面的微粗糙度可以達(dá)到 0.2nm 以下。在潤滑作用中,它可以減少硅片與拋光設(shè)備之間的摩擦,降低磨損,延長設(shè)備的使用壽命。同時,在拋光過程中會產(chǎn)生熱量,而拋光液的冷卻作用可以及時帶走熱量,防止硅片
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吉致電子LN鈮酸鋰拋光液,CMP精密加工好助手
鈮酸鋰化學(xué)式為LiNbO3簡稱LN,具有良好的非線性光學(xué)性質(zhì),可用作光波導(dǎo)材料,或用于制作中低頻聲表濾波器、大功率耐高溫超聲換能器等。鈮酸鋰摻雜技術(shù)如今被廣泛應(yīng)用。Mg:LN提高抗激光損傷閾值,優(yōu)化在非線性光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用;Nd:Mg:LN晶體可實現(xiàn)自倍頻效應(yīng);Fe:LN晶體可用于光學(xué)體全息存儲。CMP研磨液拋光液能平坦化鈮酸鋰晶圓表面凹陷,晶圓快速達(dá)到理想粗糙度。 8寸鈮酸鋰晶圓在光電子器件和集成電路領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。相較于較小尺寸的晶圓,8英寸鈮酸鋰晶圓具有明顯的優(yōu)勢。首先,它擁有更大
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半導(dǎo)體芯片研磨液與CMP工藝:鑄就芯片制造的基石
CMP工藝在芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié) 在蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,芯片制造如同一場精細(xì)的藝術(shù)創(chuàng)作,而半導(dǎo)體芯片研磨與CMP工藝則是其中重要的環(huán)節(jié)。芯片制造是一個高度復(fù)雜的過程,涉及多個步驟,CMP工藝在這個過程中起著不可或缺的作用。 隨著芯片制程不斷縮小,對晶圓表面平整度的要求越來越高。如果晶圓表面不平整,在后續(xù)的光刻、刻蝕等工藝中,就會出現(xiàn)對焦精度不準(zhǔn)確、線寬控制不穩(wěn)定等問題,嚴(yán)重影響芯片的性能和質(zhì)量。例如,當(dāng)制造層數(shù)增加時,如果晶圓表面不平整,可能導(dǎo)致金屬薄膜厚度不均進(jìn)而影響電阻值
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電子3C行業(yè)的好幫手---蘋果logo研磨液
客戶經(jīng)常會問macbook鋁合金外面蘋果logo是怎么加工的?蘋果的背面Logo鏡面是怎么做的?蘋果logo拋光? 蘋果產(chǎn)品一直以其精湛的工藝和卓越的設(shè)計而備受矚目,其中蘋果logo的研磨工藝更是在整個產(chǎn)品中起到了至關(guān)重要的作用。 蘋果logo采用了CMP化學(xué)機械平面拋光工藝,這一工藝借助CMP設(shè)備、研磨液 / 拋光液和拋光墊的共同作用,能夠使金屬工件表面達(dá)到鏡面效果,極大地提升了Apple logo的質(zhì)感。在蘋果的筆記本電腦和手機上,閃閃發(fā)光的Apple Logo常常讓人驚艷不已
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解鎖高效,硬質(zhì)合金CMP拋光液來襲
硬質(zhì)合金是由難熔金屬的硬質(zhì)化合物和粘結(jié)金屬通過粉末冶金工藝制成的一種合金材料。它具有硬度高、耐磨、強度和韌性較好、耐熱、耐腐蝕等一系列優(yōu)良性能,被譽為“工業(yè)牙齒”,廣泛用于切削工具、刀具、鈷具和耐磨零部件,在軍工、航天航空、機械加工、冶金、石油鉆井、礦山工具、電子通訊、建筑等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。常用硬質(zhì)合金按成分和性能特點分為三類:鎢鈷類、鎢鈦鈷類、鎢鈦鉭(鈮)類,每種都有其適用的領(lǐng)域和優(yōu)勢。硬質(zhì)合金平面件,如鎢鋼、鎢合金材質(zhì)等使用CMP拋光液和CMP研磨工藝能達(dá)到
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吉致電子---磷化銦InP晶圓拋光液的市場現(xiàn)狀
目前,全球磷化銦(InP)晶圓市場的cmp拋光耗材主要由少數(shù)國外廠商主導(dǎo)。這些國外廠商憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的經(jīng)驗,在產(chǎn)品質(zhì)量和性能方面具有顯著優(yōu)勢。例如Fujimi Incorporated、Ferro (UWiZ Technology) 等企業(yè)在全球半導(dǎo)體slurry拋光液市場中具有較高的知名度和占有率。 相比之下,國內(nèi)企業(yè)的磷化銦(InP)晶圓拋光液研發(fā)起步較晚,但近年來隨著國內(nèi)半導(dǎo)體的快速發(fā)展,國產(chǎn)cmp拋光耗材也大量進(jìn)入市場,國內(nèi)廠家也在不斷加大研發(fā)投入,努力提升拋光液、拋光墊產(chǎn)品
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杜邦I(lǐng)C1000拋光墊的特點及國產(chǎn)替代
在半導(dǎo)體晶圓及芯片的制造過程中,CMP是實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵工藝,而IC1000作為一種高性能的拋光墊,為 CMP工藝的順利進(jìn)行提供了有力保障。 杜邦I(lǐng)C1000系列拋光墊能夠存儲和輸送CMP拋光液至拋光區(qū)域,通過slurry的流動和分布使拋光工作持續(xù)均勻地進(jìn)行。在化學(xué)機械拋光過程中,拋光液中的化學(xué)成分與晶圓表面材料產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),生成較易去除的物質(zhì),而dupont IC1000 Pad為這一化學(xué)反應(yīng)提供了穩(wěn)定的場所。同時,IC1000拋光墊能夠去除拋光過程中產(chǎn)生的副產(chǎn)品,如氧化產(chǎn)物
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吉致電子鈮酸鋰LN拋光液的優(yōu)點
鈮酸鋰晶體LiNbO3化學(xué)機械拋光液能夠顯著降低工件表面粗糙度。在CMP化學(xué)機械加工工藝的優(yōu)化下LN鈮酸鋰工件表面粗糙度得以快速降低,獲得超光滑、無損傷的表面。表面粗糙度低不僅提高了工件的外觀質(zhì)量,更重要的是符合鈮酸鋰晶片高精度加工的嚴(yán)格需求。在一些對表面精度要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域,如光電子器件制造中,低表面粗糙度可以有效提高光的傳輸效率,減少散射損耗,提升器件的性能和可靠性。例如,在集成光路中,低損耗和高折射率對比度的光波導(dǎo)是構(gòu)建大規(guī)模光子集成芯片的最基本單元,而超光滑的鈮酸鋰表面能夠為光波導(dǎo)提供更好的
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Suba800拋光墊國產(chǎn)替代一樣香
Suba800是一款在半導(dǎo)體及集成電路相關(guān)領(lǐng)域被廣泛使用的cmp拋光墊。其作為化學(xué)機械平面研磨工藝的知名耗材,產(chǎn)品特性顯著且穩(wěn)定性高,適用于半導(dǎo)體硅片、晶圓、精密陶瓷、藍(lán)寶石襯底等工件的表面平坦化。 Suba800拋光墊還適用于光學(xué)和金屬材料的拋光。在光學(xué)材料的拋光中,Suba800能提供高透明度、低粗糙度的表面,提高光學(xué)性能。在金屬工件拋光中,Suba800能夠有效去除金屬表面的氧化膜和劃痕,使其表面更加光滑、亮麗。 無錫吉致電子科技有限公司生產(chǎn)的 Suba800國產(chǎn)替代產(chǎn)品
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DNA基因芯片cmp工藝
基因芯片又稱DNA芯或DNA微陣列。它是一種同時將大量的探針分子固定到固相支持物上,借助核酸分子雜交配對的特性對DNA樣品的序列信息進(jìn)行高效解讀和分析的技術(shù),主要應(yīng)用在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域、生物學(xué)研究領(lǐng)域和農(nóng)業(yè)領(lǐng)域。DNA芯片生產(chǎn)過程需要經(jīng)過CMP研磨拋光去除基板水凝膜,達(dá)到理想表面效果。 吉致電子DNA基因芯片slurry,有效去除基底涂覆的軟材料,軟材料包括但不限于聚合物、無機水凝膠或有機聚合物水凝膠等。基因芯片研磨液使用微米級磨料制備,粒徑均一穩(wěn)定,有效去除玻璃基底上的固化聚合物混合物、軟材質(zhì)水凝
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納米拋光液---吉致電子氧化硅slurry的應(yīng)用及特點
吉致電子納米級氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料,經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型CMP拋光產(chǎn)品。粒度均一的SiO2磨料顆粒在CMP研磨過程中分散均勻,能達(dá)到快速拋光的目的且不會對加工件造成物理損傷。納米級硅溶膠拋光液不易腐蝕設(shè)備,提高了使用的安全性。制備工藝和配方有效提高了平坦化加工速率,快速降低表面粗糙度,且工件表面劃傷少。 吉致電子氧化硅slurry粒徑分布可控,根據(jù)不同的拋光需求,生產(chǎn)出不同粒徑大小的納米氧化硅拋光液,粒徑范圍通常在 5-100nm 之間。以氧化硅為磨料的納米拋
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吉致電子鈮酸鋰拋光液的重要作用
吉致電子鈮酸鋰晶體化學(xué)機械拋光液在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的用途。鈮酸鋰在半導(dǎo)體行業(yè)中是晶圓制備過程中的關(guān)鍵材料。通過CMP化學(xué)機械拋光,能夠有效提高晶圓的表面平整度和光潔度,為后續(xù)的半導(dǎo)體器件制造提供優(yōu)質(zhì)的基礎(chǔ)。例如,在集成電路的生產(chǎn)中,鈮酸鋰晶體化學(xué)機械拋光液能夠精確地去除工件表面的微小凸起和雜質(zhì),達(dá)到表面平坦化效果,確保后期芯片制造的性能和可靠性。鈮酸鋰cmp拋光液還能為光學(xué)表面提供高光潔度拋光,因其具有優(yōu)良的電光、聲光、壓電等性能,在光電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。經(jīng)過CMP拋光液處理后的鈮酸鋰光學(xué)元件,表面粗糙度極低
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歡度十一國慶:吉致電子與您共同慶祝祖國生日,共創(chuàng)美好未來
親愛的吉致電子同仁、客戶、合作伙伴: 2024年10月1日,中華人民共和國迎來75周年華誕,情牽華夏心連心,值此普天同慶的時刻,我們想借此機會表達(dá)對祖國、對奮斗拼搏的各位之深深熱愛和祝福,愿我們的祖國更上一層樓! 吉致電子作為一家富有濃厚愛國情懷且正在蓬勃發(fā)展的電子科技企業(yè),我們深知自己的使命與愿景:致力于研發(fā)生產(chǎn)卓越的集成電路精密拋光產(chǎn)品,為國家半導(dǎo)體行業(yè)貢獻(xiàn)一份力。吉致電子們與祖國同呼吸、共命運,有了祖國的支持我們的cmp拋光研磨產(chǎn)品才能不斷地推陳出新,吉致電子將始終堅守初心,全力以赴為客戶
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吉致電子:CMP鉬金屬研磨液,點亮鉬材非凡光彩
無錫吉致電子科技有限公司是CMP研磨液、拋光墊及CMP拋光耗材研發(fā)生產(chǎn)廠家,至今已有 20 余年的研發(fā)經(jīng)驗。 吉致電子CMP產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于金屬、光電、集成電路半導(dǎo)體、陶瓷、硬盤面板顯示器等材質(zhì)的表面深度處理,目前已發(fā)展為集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的現(xiàn)代工業(yè)科技廠家。目前我司生產(chǎn)的鉬金屬研磨液適用于平面形態(tài)的鉬、鉬合金工件的鏡面拋光,通過 化學(xué)機械平面研磨工藝,使鉬金屬表面快速去粗和平坦化,過程簡單來說就是利用拋光設(shè)備將鉬金屬拋光液化學(xué)氧化腐蝕鉬合金表面,再通過拋光墊外力研磨去除氧
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吉致藍(lán)寶石研磨液--高效研磨與拋光的理想選擇
藍(lán)寶石研磨液:高效研磨與拋光的理想選擇藍(lán)寶石研磨液,作為一種在精密加工領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用的研磨材料,主要用于藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄,以實現(xiàn)其表面的高精度和高質(zhì)量處理。一,組成成分藍(lán)寶石研磨液主要由以下幾部分組成:1.優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉:這是研磨液的核心磨料,具有極高的硬度和耐磨性,能夠有效地去除藍(lán)寶石表面的材料,實現(xiàn)高效研磨。聚晶金剛石的獨特結(jié)構(gòu)使其在研磨過程中能夠保持良好的切削性能,同時減少對工件表面的劃傷2.復(fù)合分散劑:其作用是確保聚晶金剛石微粉能夠均勻地分散在研磨液中,避免顆粒團(tuán)聚,從而保證研磨液的穩(wěn)定性和
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吉致電子陶瓷覆銅板研磨液
陶瓷覆銅板 CMP 拋光液的定義,為半導(dǎo)體行業(yè)電子封裝使用的研磨液及拋光液,適用于陶瓷覆銅板粗拋及精拋。提高陶瓷工件表面去除率和平坦化性能,提供鏡面效果,解決電鍍銅層厚度及均勻性、表面粗糙度等拋光難題。吉致電子陶瓷覆銅板研磨液具有懸浮性好不易沉淀,顆粒分散均勻不團(tuán)聚,軟硬度適中避免劃傷,拋磨過程中提高拋光速度和質(zhì)量,分散性好降低微劃傷概率提高精度,無粉塵產(chǎn)生環(huán)保安全,可定制化滿足不同需求。吉致電子CMP研磨液的分類與成分:根據(jù)拋光對象分為不同類別,成分包括研磨顆粒、PH 值調(diào)節(jié)劑、氧化劑、分散劑以及表面活性劑,各成
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吉致電子--共慶2024花好月圓中秋節(jié)
海上生明月,天涯共此時!2024中秋佳節(jié)將近,月到中秋分外明,佳節(jié)喜氣伴你行。人逢喜事精神爽,人月兩圓事業(yè)成。心寬氣順身體棒,合家幸福享天倫。 無論您在天涯海角,無錫吉致電子科技有限公司全體成員都深深祝褔您,----中秋團(tuán)圓,幸福美滿,佳節(jié)快樂!無錫吉致電子科技有限公司http://www.5minute-ebook.com/聯(lián)系電話:17706168670郵編:214000?地址:江蘇省無錫市新吳區(qū)新榮路6號
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吉致電子藍(lán)寶石拋光液雙面研磨與單面精磨
藍(lán)寶石襯底的表面平坦加工旨在去除線切產(chǎn)生的線痕、裂紋和殘余應(yīng)力等表面、亞表面損傷層,提升藍(lán)寶石晶片的表面質(zhì)量,從而達(dá)到 LED 芯片制備的表面質(zhì)量要求。CMP化學(xué)機械研磨工藝是解決藍(lán)寶石襯底表面平坦化的有效工藝之一,那么雙面研磨與單面精磨工藝是怎樣的,研磨拋光耗材該怎么選? 藍(lán)寶石襯底雙面研磨可實現(xiàn)上、下兩個平面的實時同步加工,有效減小兩個平面之間因加工引起的應(yīng)力應(yīng)變差,具有較好的表面翹曲度和平整度修正效果;但雙面研磨后晶片表面仍然存在著厚度為(0~25)um的表面/亞表面損傷層,而化學(xué)機
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襯底與晶圓材料的選擇與特性
襯底材料半導(dǎo)體襯底材料的選擇對器件性能有重大影響。常見的襯底材料包括硅、砷化鎵、碳化硅等。硅襯底:硅SI是最常見的襯底材料,因其優(yōu)良的電學(xué)、熱學(xué)和機械特性廣泛應(yīng)用于集成電路和微電子器件。硅襯底具有成本低、加工成熟、易于大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點。砷化鎵襯底:砷化鎵GaAs具有高電子遷移率和良好的光電特性,常用于高頻器件和光電器件。雖然成本較高,但在特定領(lǐng)域有無可替代的優(yōu)勢。碳化硅襯底:碳化硅SIC具有高硬度、高熱導(dǎo)率和高溫穩(wěn)定性,適用于高溫、高功率和高頻應(yīng)用。碳化硅襯底的加工難度較大,但其優(yōu)異的性能使其在特定領(lǐng)域有著重要應(yīng)用
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CMP拋光液---半導(dǎo)體拋光液種類有哪些
半導(dǎo)體拋光液種類有哪些?CMP拋光液在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用遠(yuǎn)不止晶圓拋光,半導(dǎo)體使用的CMP制程包括氧化層(Oxide CMP)、多晶硅(Poly CMP)、金屬層(Metal CMP)。就拋光工藝而言,不同制程的產(chǎn)品需要不同的拋光流程,28nm制程需要12~13次CMP,進(jìn)入10nm制程后CMP次數(shù)將翻倍,達(dá)到25~30次。STI CMP Slurry---淺溝槽隔離平坦化 STI淺溝槽隔離技術(shù)是用氧化物隔開各個門電路,使各門電路之間互不導(dǎo)通,STI CMP工藝的目標(biāo)是去除填充在淺溝槽中的
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